積塔半導(dǎo)體率先推出110nm新型鐵電存儲(chǔ)器工藝技術(shù)

2024-01-30

積塔半導(dǎo)體聯(lián)合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的新型鐵電存儲(chǔ)器供應(yīng)商無(wú)錫舜銘存儲(chǔ)科技有限公司合作開(kāi)發(fā)，于2023年12月成功推出國(guó)內(nèi)首款110納米技術(shù)的新型鐵電存儲(chǔ)器產(chǎn)品。與現(xiàn)有技術(shù)相比，新產(chǎn)品面積縮小約40%~60%，性能大幅度提升，將于2024年一季度正式量產(chǎn)。

該項(xiàng)技術(shù)由積塔半導(dǎo)體模擬與數(shù)?；旌涎邪l(fā)處（TD2）MCU研發(fā)團(tuán)隊(duì)，歷經(jīng)一年研發(fā)成功，完成了新型鐵電技術(shù)的三項(xiàng)重大突破，第一，新型鐵電技術(shù)首次在110nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；第二，新型鐵電存儲(chǔ)器的可靠性比現(xiàn)有技術(shù)提升了10倍；第三，實(shí)現(xiàn)了新型鐵電存儲(chǔ)技術(shù)從平面結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元到3D結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)單元的跨越。

FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器Ferroelectric RAM），采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，同時(shí)具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特點(diǎn)，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優(yōu)勢(shì)，被認(rèn)為是未來(lái)存儲(chǔ)器發(fā)展方向之一。

此次推出的鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)是基于鉿基氧化物的新型鐵電存儲(chǔ)技術(shù)。相比于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)，該技術(shù)擁有高速讀寫，高耐久性，低功耗，抗電磁干擾和抗輻照等特點(diǎn)，性能優(yōu)越，可靠性高，非常適用于車載，電力，工控，和可穿戴等場(chǎng)景，并且在人工智能領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用前景。

積塔半導(dǎo)體將繼續(xù)發(fā)力，在3D架構(gòu)和更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)新型存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步降低成本和提升產(chǎn)品性能，為實(shí)現(xiàn)新型存儲(chǔ)器多元化，產(chǎn)業(yè)鏈自主創(chuàng)新而努力奮斗