技術(shù)簡介

• 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種混合型電力電子元件，其結(jié)合了功率BJT和功率MOSFET的優(yōu)點，具有MOS柵壓控可關(guān)斷能力，優(yōu)良的導(dǎo)通特性（低通態(tài)功耗和大額定電流），適合的開關(guān)速度和較寬的安全工作區(qū)。Si IGBT最高耐壓可達(dá)6500V，工作頻率為2kHz至50kHz。目前IGBT廣泛應(yīng)用于消費類電器、工業(yè)控制、工業(yè)電源、新能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、機(jī)車牽引和電動汽車等領(lǐng)域。

平臺現(xiàn)狀

• 積塔長期專注于功率IGBT工藝技術(shù)的開發(fā)，積累了豐富的開發(fā)經(jīng)驗和量產(chǎn)經(jīng)驗，現(xiàn)已具備平面IGBT與溝槽IGBT全系列工藝技術(shù)平臺能力。積塔成功開發(fā)了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面場終止型IGBT、以及600V~1700V溝槽柵場終止型（Trench FS）IGBT，基于Trench FS平臺又成功開發(fā)了650V/1200V逆導(dǎo)（RC）IGBT。積塔8吋量產(chǎn)的最新一代高密度溝槽柵高能氫注入場終止IGBT，飽和壓降小、開關(guān)損耗低，且已通過車規(guī)級可靠性考核，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變、儲能、工業(yè)工控等領(lǐng)域。

技術(shù)能力

• 高密度溝槽柵刻蝕，LOCOS CMP，Poly CMP，Taiko背面研磨，高能氫注入，激光退火，高壓大電流CP測試，Ring Cut & Dicing

技術(shù)簡介

• 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是由金屬、氧化物及半導(dǎo)體三種 材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流，用于功率輸出級的器件，最高耐壓可達(dá)900V。功率MOSFET主要用于電機(jī)控制（電動車、電動工具）、電源管理(鋰電保護(hù)，光伏儲能)、開關(guān)電源（同步整流，PD快充)等領(lǐng)域。

平臺現(xiàn)狀

• 積塔長期專注于功率MOSFET工藝技術(shù)平臺開發(fā)，擁有豐富的MOSFET生產(chǎn)制造經(jīng)驗。現(xiàn)已形成包括Trench MOS，SGT和Super-Junction MOSFET等在內(nèi)的多種類MOSFET功率器件工藝技術(shù)平臺。其中積塔8寸研發(fā)量產(chǎn)的SGT平臺已涵蓋30-200V，且已通過車規(guī)級可靠性考核。該器件采用電荷平衡技術(shù)，可以明顯減小器件的導(dǎo)通電阻和米勒電容，實現(xiàn)更優(yōu)的品質(zhì)因數(shù)（FOM），從而有效降低導(dǎo)通損耗，提高開關(guān)性能和工作效率，在不間斷電源、電池管理系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動、服務(wù)器等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。

技術(shù)能力

• 高密度深溝槽柵刻蝕，高密度等離子體氧化物填充，多晶硅與氧化硅CMP，Taiko背面研磨

積塔6吋/8吋線擁有豐富的TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）工藝研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗；擁有特色的外延工藝和基于現(xiàn)有CMOS后段產(chǎn)線升級的工藝，能制造出超低電容和超低回折電壓的高端產(chǎn)品，客戶產(chǎn)品已經(jīng)打入國際一流3C產(chǎn)品供應(yīng)鏈，擁有能為國內(nèi)外客戶定制化平面型和溝槽型產(chǎn)品的工藝方案。

技術(shù)簡介

• 快恢復(fù)二極管（FRD，F(xiàn)ast Recovery Diode）具有快速的開通和高速關(guān)斷能力，具有極短的反向恢復(fù)時間、較小的反向過沖電流和較好的軟恢復(fù)特性，可用于續(xù)流二極管（FWD, Freewheeling diode），在IGBT關(guān)斷后，為電路中的感性負(fù)載提供續(xù)流回路，減小電容的充放電時間，同時抑制負(fù)載電流的瞬時反向引起的高感應(yīng)電壓。同時，F(xiàn)RD也可以用于整流二極管。目前FRD廣泛應(yīng)用于消費類電器、工業(yè)/工控、可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。

平臺現(xiàn)狀

• 積塔6吋擁有以外延片和擴(kuò)散片為基礎(chǔ)的FRD制程，支持電子輻照技術(shù)進(jìn)行少子壽命控制。已量產(chǎn)包括650V/750V/1200V/1700V的技術(shù)平臺工藝，并成功開發(fā)出3300V/4500V/6500V的超高壓平臺。

• 積塔8吋區(qū)熔片（FZ）FRD平臺，采用低發(fā)射極摻雜效率設(shè)計和高能氫注入緩沖層，以及業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的局域壽命控制技術(shù)（LLC，Local Lifetime Control），具有低正向?qū)妷?、軟恢?fù)特性、正溫度系數(shù)等性能優(yōu)勢。最高結(jié)溫175℃，并可通過車規(guī)級可靠性考核。產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、大功率光伏逆變、儲能、工業(yè)工控等領(lǐng)域。同時，在此基礎(chǔ)上，開發(fā)了1200V外延（EPI）FRD平臺，成本更低，以滿足客戶的不同應(yīng)用需求。

技術(shù)能力

• 全局壽命控制，局域壽命控制，Taiko背面研磨，高能氫注入，激光退火，高壓大電流CP測試，Ring Cut & Dicing

技術(shù)簡介

• MEMS 是利用集成電路制造技術(shù)和微結(jié)構(gòu)、微傳感器、控制處理電路甚至接口電路、通信電路和電源電路等制造在一塊或多塊芯片上的微型集成系統(tǒng)，是微電路和微機(jī)械按功能要求在芯片上的集成，屬于微電子技術(shù)與機(jī)械工程結(jié)合的一種工業(yè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于消費電子領(lǐng)域，機(jī)械領(lǐng)域、汽車工業(yè)領(lǐng)域以及化工與醫(yī)療器械領(lǐng)域

平臺現(xiàn)狀

• 積塔擁有超過10年的MEMS加工經(jīng)驗， 具有厚外延，深槽刻蝕，金屬蒸金，富硅氮化硅以及其他定制化的解決方案， 目前具備光學(xué)MEMS傳感器的研發(fā)和規(guī)模量產(chǎn)能力， 同時, MEMS揚聲器仍在持續(xù)開發(fā)過程中。

技術(shù)能力

• CMOS兼容工藝、厚外延、深槽刻蝕、金屬蒸金、富硅氮化硅，可應(yīng)用于硅光通信、消費電子、工業(yè)控制