工藝平臺(tái)：

積塔通過技術(shù)授權(quán)和自主研發(fā)，可開發(fā)從90nm到28nm邏輯工藝，通過加入特定IP和特殊工藝可以涵蓋BCD、HVCMOS、MCU 、eflash 、Iot Memory 等集成電路產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于電源管理、顯示驅(qū)動(dòng)、LED照明、汽車電子、攝像頭模組、消費(fèi)級(jí)電子等領(lǐng)域。

技術(shù)開發(fā)路線：

40nm工藝平臺(tái)：

技術(shù)簡(jiǎn)介：

積塔半導(dǎo)體通過技術(shù)授權(quán)的模式，擁有1.1V/2.5V工藝，且通過自研集成5V 40nm Low Power技術(shù)平臺(tái)，以滿足市場(chǎng)的設(shè)計(jì)要求。

工藝技術(shù)特點(diǎn)：

l  CMOS硅襯底晶向<100>

l  氮化柵絕緣氧化層/多晶硅柵極

l  193納米(高NA =1.2)浸入式光刻技術(shù)

l  先進(jìn)尖峰退火技術(shù) (使用激光作為熱源)

l  工藝帶來的應(yīng)力過程

ü  拉引力的淺溝道絕緣(STI)填充技術(shù)

ü  應(yīng)力記憶技術(shù)(SMT)

ü  拉應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層 (CESL)

l  鎳硅合金工藝降低接觸電阻

l  銅互聯(lián)&超低介電常數(shù)介質(zhì) (K=2.55)

平臺(tái)開發(fā)現(xiàn)狀：

積塔40納米邏輯平臺(tái)器件提供：

l  核心組件電壓 1.1V，涵蓋三種不同的閾值電壓;

l  輸入/輸出組件 2.5V電壓 (超載3.3V, 低載 1.8V) 以及 5V IO 以滿足不同的設(shè)計(jì)要求;

l  提供 Single port high density/ Single port high current / 2 port / dual port 四種結(jié)構(gòu)靜態(tài)存儲(chǔ)器

l  Passive 提供Poly/AA/Metal 各類型電阻，同時(shí)提供三極管，二極管，電容等器件。

l  其他包括ESD(含5V)Device以及efuse，anti-fuse等。

工藝能力：

產(chǎn)品應(yīng)用：

l  應(yīng)用領(lǐng)域：

l  通過精確控制車燈開關(guān)，亮度等，提高行車安全；

l  用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，實(shí)現(xiàn)汽車的動(dòng)力輸出和轉(zhuǎn)向控制;

l  管理汽車門窗座椅，空調(diào)等系統(tǒng)，提升乘坐的舒適性和便利性；

l  顯示車速，油耗，水溫等關(guān)鍵信息，為駕駛員出行提供準(zhǔn)確的車輛系統(tǒng)信息；

l  集成音響，導(dǎo)航，視頻等娛樂功能，提升駕駛樂趣和乘坐體驗(yàn)；

l  AI 智駕降低交通擁堵，提高出行效率和駕駛安全。

l  車載通信，遠(yuǎn)程信息處理系統(tǒng)等。

65nm/55nm工藝平臺(tái)：

技術(shù)簡(jiǎn)介

    65nm/55nm標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提供低功耗（LP）器件平臺(tái)，核心組件電壓1.2V，擁有涵蓋三種不同閾值電壓、輸入/輸出器件 5V電壓，以滿足市場(chǎng)的設(shè)計(jì)要求。

特點(diǎn)

    核心元件電壓：1.2V

    低k介質(zhì)（3.0）和Cu的后端互連集成技術(shù)

    鎳化硅制程（NiPt）

    輸入/輸出電壓：5V

應(yīng)用產(chǎn)品

    積塔65nm/55nm混合信號(hào)制程，具有低功耗的特性，主要應(yīng)用于車載芯片、電源管理、驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。