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    特色工藝

特色I(xiàn)C

積塔在特色工藝方面擁有超過30年的研發(fā)及制造經(jīng)驗(yàn),專注于Bipolar, BCD, HVCMOS, eNVM等模擬及數(shù)?;旌霞呻娐饭に嚰夹g(shù),在消費(fèi)類電子,工業(yè)控制,汽車電子,新能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?yàn)閺V大客戶提供更具性價(jià)比的晶圓制造解決方案。

特色工藝.png

  • BCD

  • HV

  • eNVM

  • 技術(shù)簡(jiǎn)介

    • BCD是一種單片集成工藝技術(shù),將BJT、CMOS、DMOS器件集成到同一芯片,綜合BJT器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,CMOS器件集成度高以及DMOS器件高耐壓、高效率及低功耗等優(yōu)點(diǎn),使BCD工藝大幅降低功耗,提高系統(tǒng)性能,提升可靠性和降低成本


    平臺(tái)開發(fā)現(xiàn)狀

    • 積塔BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技術(shù)基于先進(jìn)的CMOS工藝平臺(tái),開發(fā)出各種電壓的高性能,低導(dǎo)通電阻LDMOS,以優(yōu)越的性能和較低的成本滿足各類客戶的需求。目前0.15μm 5~40V EPI BCD 、0.18μm 5~30V BCD及 0.8μm 700V BCD已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn);90nm 40V BCD, 以及 0.15um 60V 和 120V BCD已開始試產(chǎn)。將持續(xù)往更優(yōu)性能,更高電壓,更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)發(fā)展。


    工藝能力

    • 低導(dǎo)通電阻,Deep Trench Isolation for 120V BCD, double resurf, selfalign Pbody, Thin Rox,fully isolatio


    應(yīng)用產(chǎn)品

    •  廣泛應(yīng)用于電源管理,DC-DC,AC-DC,LED驅(qū)動(dòng),電機(jī)驅(qū)動(dòng),電池管理,物聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)品開發(fā)。



    BCD.png

  • 技術(shù)簡(jiǎn)介

    • LCD/LED等顯示驅(qū)動(dòng)芯片,要求驅(qū)動(dòng)高壓信號(hào),無大功率要求,所以基于傳統(tǒng)CMOS工藝技術(shù)的低成本HV-CMOS工藝制程應(yīng)運(yùn)而生。HV CMOS是傳統(tǒng)CMOS工藝向高壓的延伸,HV CMOS將CMOS和高壓MOS器件集成在同一芯片上來實(shí)現(xiàn)高壓驅(qū)動(dòng),成本較BCD工藝更低。


    平臺(tái)開發(fā)現(xiàn)狀

    • 積塔HV CMOS技術(shù)基于先進(jìn)的CMOS工藝平臺(tái),開發(fā)出多種電壓的HV CMOS器件,以優(yōu)越的性能和較低的成本滿足各類面板驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品需求。當(dāng)前0.15μm 1.8/3.3/18V HV CMOS工藝開發(fā)完成,已開始試產(chǎn);90nm 1.32/3.3/5/6/32V HV CMOS系列工藝開發(fā)中。將持續(xù)往更豐富電壓,更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)發(fā)展。


    工藝能力

    • 穿柵工藝、共阱工藝、深STI深寬比填充、MIM工藝、銅鋁混合工藝

    應(yīng)用產(chǎn)品

    • 廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦、消費(fèi)類電子及可穿戴設(shè)備的顯示面板驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品。



    HV.png

  • 技術(shù)簡(jiǎn)介

    • eNVM是在邏輯工藝平臺(tái)基礎(chǔ)上開發(fā)出帶有非揮發(fā)存儲(chǔ)器模塊的芯片,積塔提供多種嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)技術(shù),包括一次性可編程存儲(chǔ)器(OTP), 多次可編程存儲(chǔ)器(MTP),電子保險(xiǎn)絲一次性可編程存儲(chǔ)器(e-fuse)。目前正在開發(fā)嵌入式閃存(e-flash)以及鐵電存儲(chǔ)器(FRAM) 技術(shù)


    平臺(tái)開發(fā)現(xiàn)狀

    • 積塔提供多種嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)技術(shù),技術(shù)節(jié)點(diǎn)覆蓋0.35μm到0.15μm量產(chǎn)工藝以及0.11μm到40nm在研工藝,為各工藝平臺(tái)提供了可靠和高效的存儲(chǔ)方案,目前0.11 μm e-flash工藝開發(fā)進(jìn)行中,預(yù)計(jì)2024年完成,90nm e-flash預(yù)計(jì)2025年完成, 0.11μm FRAM平臺(tái)先導(dǎo)客戶產(chǎn)品導(dǎo)入成功,2D產(chǎn)品已成功量產(chǎn),3D產(chǎn)品預(yù)計(jì)年底量產(chǎn),產(chǎn)品涉及串行和并行的獨(dú)立和嵌入式類型


    工藝能力

    • Floating gate,HK工藝,深孔刻蝕工藝,3D鐵電存儲(chǔ)


    應(yīng)用產(chǎn)品

    • 積塔提供了完整的嵌入式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)與廣泛IP支持,可應(yīng)用于智能卡,微處理器,電源管理IC等, 廣泛涉及消費(fèi)電子,物聯(lián)網(wǎng),汽車電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

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